高速サンプリング電磁波計測によるパワーモジュール内部の部分放電位置標定の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 6-A-p1-1

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 満留 博(九州工業大学),秋永 優也(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学),岡本 健次(富士電機),池田 良成(富士電機),谷口 克己(富士電機),中村 瑶子(富士電機)

キーワード: パワーモジュール|部分放電|ループセンサ

要約(日本語): 高耐圧パワーモジュールの開発には，パワーモジュール内部で発生する部分放電（PD）の詳細な位置を特定することが必須である。そこで著者らは，複数のループセンサを用いて検出した放電電磁波信号を高速サンプリング（80GS/s）で収録し，その時間差を利用した位置標定アルゴリズムの構築を検討した。そのアルゴリズムを用いて，PD源として意図的に欠陥を設けたSi-IGBTモジュールにおけるPD位置標定を行ったので報告する。

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