Buffer層を用いた(Hg0.9Re0.1)Ba2CaCu2Ox超伝導薄膜の作製および特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5-F-p2-1

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 三宅 伸弥(九州工業大学),松本 要(九州工業大学),堀出 朋哉(九州工業大学)

キーワード: Hg系超電導薄膜|Buffer層|配向性

要約(日本語): HgBa2Ca2Cu3Ox(Hg1223）やHgBa2CaCu2Ox(Hg1212）などの水銀系超伝導物質は、実用化を目指す上で線材化は必須である。また、水銀系酸化物と基板との間で反応が起こるため特性の低下が起こる。これらの課題を解決するため、IBAD-MgO基板に(Hg,Re)1212薄膜を形成することで水銀系超伝導薄膜の線材化の可能性を評価した。また基板間での反応の防止のためSrTiO3基板とMgO基板にBuffer層としてpureYBCO薄膜を用いることで結晶性の改善を図った。

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