多層薄膜型ハイブリット人工ピンを導入したYBa2Cu3O7-x薄膜の臨界電流密度制御

カテゴリ: 部門大会

論文No: 6-F-a1-4

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 大坪 紘二(九州工業大学),堀出 朋哉(九州工業大学),一瀬 中(電力中央研究所),松本 要(九州工業大学)

キーワード: 臨界電流密度|多層膜

要約(日本語): 臨界電流密度およびその異方性の制御を目指し、2種類の異なるYBCO+BMO(M=Sn,Hf)混合ターゲットを用いて多層膜を作製した。短い人工ピンと長い人工ピンを組み合わせたハイブリット人工ピンを用いることで制御を試みた。BSOを用いた多層膜ではTEM像よりハイブリット人工ピンが形成されていることが確認できた。また、多層膜と単層膜を比較してみると6T付近で磁場角度依存性(JC-θ)に異なる傾向が見られた。

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