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シリコンテクノロジーを用いたパワーインダクタに対する磁性コア材料の影響

シリコンテクノロジーを用いたパワーインダクタに対する磁性コア材料の影響

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 6-B-a1-1

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 鶴見 直明(ローム),澤井 泰(ローム)

キーワード: パワーインダクタ|DC-DCコンバータ|電源モジュール|TSV|ディープエッチング|直流重畳特性

要約(日本語): TSV技術を応用して、シリコン基板にパワーインダクタを形成する手法を検討している。SOIウェハに1uHのスパイラルインダクタを作製し、上下に磁性材を配置した場合の特性について調査した。飽和磁束密度2.3TのFeCo系磁性材を配置した場合、直流電流を1.2A重畳させても、インダクタンスの低下は2.8%までに抑えられることを確認した。実用化に向けた課題についても報告する予定。

PDFファイルサイズ: 399 Kバイト

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