1
/
の
1
SiCパワーデバイス開発の現状とその応用
SiCパワーデバイス開発の現状とその応用
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: 5-D-p2-6
グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集
発行日: 2016/09/01
著者名: 中村 孝(ローム)
キーワード: SiCパワーデバイス|DC/DCコンバータトレンチMOS|トレンチMOS|パルスパワー
要約(日本語): ダブルトレンチ構造を採用することにより世界に先駆けてSiCトレンチMOSFETの実用化に成功した。このデバイスを用いたパワーモジュールはスイッチング損失が従来Si IGBTモジュールに比べ77%低減した。また、使用方法やシステムを変えることによりSiCの特徴を最大限に引き出す「SiC特有」の応用が可能となる。その例としてLLC共振DC/DCコンバータやパルスパワーへの応用を紹介する。
PDFファイルサイズ: 244 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
