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SiCパワーデバイス開発の現状とその応用

SiCパワーデバイス開発の現状とその応用

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 5-D-p2-6

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 中村 孝(ローム)

キーワード: SiCパワーデバイス|DC/DCコンバータトレンチMOS|トレンチMOS|パルスパワー

要約(日本語): ダブルトレンチ構造を採用することにより世界に先駆けてSiCトレンチMOSFETの実用化に成功した。このデバイスを用いたパワーモジュールはスイッチング損失が従来Si IGBTモジュールに比べ77%低減した。また、使用方法やシステムを変えることによりSiCの特徴を最大限に引き出す「SiC特有」の応用が可能となる。その例としてLLC共振DC/DCコンバータやパルスパワーへの応用を紹介する。

PDFファイルサイズ: 244 Kバイト

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