CH4/H2を基板近傍から供給したAr誘導熱プラズマによる単結晶ダイヤモンド膜成長試験?CH4/H2供給用の基板ホルダ形状の検討?

カテゴリ: 部門大会

論文No: 6-D-a1-2

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

タイトル：CH₄/H₂を基板近傍から供給したAr誘導熱プラズマによる単結晶ダイヤモンド膜成長試験?CH₄/H₂供給用の基板ホルダ形状の検討?

著者名: 別院 利城(金沢大学),福澤 未夢(金沢大学),荒井 隆志(金沢大学),田中 康規(金沢大学),上杉 喜彦(金沢大学),石島 達夫(金沢大学),川浦 廣(シー・ヴィ・リサーチ)

キーワード: 誘導熱プラズマ|単結晶ダイヤモンド|熱解離|化学気相蒸着法|基板ホルダ|基板近傍ガス供給

要約(日本語): 本報告では，Ar誘導熱プラズマ(ICTP)下流に単結晶ダイヤモンド基板を設置し，その近傍から原料ガスCH₄/H₂を導入することで，単結晶ダイヤモンド膜成長を試みた。
具体的には，ダイヤモンド基板に到達する炭素系物質を増加させるため，基板ホルダにCH₄/H₂ガスを供給する機構を組み込んだ。今回，3種類の形状の基板ホルダを作製した。これらの基板ホルダにダイヤモンド基板を設置しAr ICTPを照射することで，基板ホルダ形状の選定をおこなった。

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