イオン軌道の数値解析によるアークイオンプレーティングプロセスでの磁場形状と膜厚の関係

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5-P-6

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 真木 匠(長岡技術科学大学),佐々木 慶太(長岡技術科学大学),高橋 一匡(長岡技術科学大学),佐々木 徹(長岡技術科学大学),菊池 崇志(長岡技術科学大学),原田 信弘(長岡技術科学大学),二井 裕瑛(神戸製鋼所),奈良井 哲(神戸製鋼所),山本 兼司(神戸製鋼所)

キーワード: アークイオンプレーティング|荷電粒子軌道|数値シミュレーション|成膜

要約(日本語): アークイオンプレーティング（AIP）法は成膜粒子のイオン化率が高いプロセスであることが知られており、荷電粒子の挙動は成膜レートや膜特性に影響を与える。本研究ではAIP装置内磁場中でのイオン軌道を数値解析した結果を報告する。質量数の異なる正イオンについて磁場形状を変化させ、基板位置での粒子数分布を数値計算により求めた。その結果、磁場形状に応じて粒子数分布が変化することが明らかとなった。

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