同軸イオン加速法による炭素薄膜生成における電界制御の適用

カテゴリ: 部門大会

論文No: 5-P-12

グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2016/09/01

著者名: 石川 有宰(日本大学),田中 郁行(日本大学),浅井 朋彦(日本大学),関口 純一(日本大学),高津 幹夫(平和電機),平塚 傑工(ナノテック)

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|電磁加速|電界制御

要約(日本語): 高硬度なダイヤモンドライクカーボン(DLC)の応用には，入射エネルギー及び水素含有量の制御，基板の熱負荷とマクロパーティクルの低減が同時に必要となる．これらを実現し得る手法として，磁化同軸イオン加速器の炭素系薄膜成膜への応用研究を進めている．本研究では，この同軸イオン加速法と基板の電位制御を組み合わせることで，マクロパーティクルの低減と入射エネルギーの上昇による膜の高硬度化を試みた．

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