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TiO2/x/Cu2O薄膜の光触媒効果における酸化物中間層の膜厚依存性
TiO2/x/Cu2O薄膜の光触媒効果における酸化物中間層の膜厚依存性
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 5-P-38
グループ名: 【A】平成28年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集
発行日: 2016/09/01
タイトル:TiO2/x/Cu2O薄膜の光触媒効果における酸化物中間層の膜厚依存性
著者名: 相馬 俊也(工学院大学),鷹野 一朗(工学院大学)
キーワード: 反応性スパッタリング|酸化チタン|酸化物半導体|光触媒
要約(日本語): 酸化チタン単層の光触媒効果のさらなる向上を目指し、酸化銅を下層にし、種々の薄膜を中間層に挿入した。反応性スパッタリングで作成したp型半導体のCu2O,その上にTaON、NiOさらに上にn型半導体のTiO2を成膜し、酸化チタン単層よりも本研究の積層型の物の方が光触媒効果において高い効果を得られた。
PDFファイルサイズ: 254 Kバイト
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