パッシェン曲線との比較による二次電子放出係数の評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19-E-a2-4

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

著者名: 吉永 智一(防衛大学校),明石 治朗(防衛大学校)

キーワード: 二次電子放出係数|絶縁破壊電圧|タウンゼント放電

要約(日本語): 平行平板電極間の絶縁破壊電圧を計測し二次電子放出係数（γ）を評価する手法では，求められたγは外部放電条件（主に換算電界）に依存する．依存性の原因として，二次電子の後方散乱および各粒子種（主にイオンおよび光子）の二次電子放出への寄与度が換算電界に依存することが挙げられる．モンテカルロ法を用いて各粒子種の寄与を個別に評価することで，粒子種固有のγを求めた結果について報告する．

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