紫外近接場光照明利用センサのためのスパッタリング法によるTiO2/SiO2導波モード励起用チップの作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: 20-C-a1-2

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

著者名: 中井 翠(早稲田大学),黒田 千愛(早稲田大学),大木 義路(早稲田大学),藤巻 真(産業技術総合研究所)

キーワード: 導波モード|量子ドット|電界強度|バイオセンサ|表面プラズモン共鳴

要約(日本語): 転送行列法を用いた電界計算より，SiO2基板にTiO2を38.4 nm，その上にSiO2を160.0 nm成膜した導波モード励起用チップは，波長375 nmの近接場光の二乗電界強度を入射光の45.3倍に増強することが示される．スパッタリング法によりチップを作製し，量子ドットの蛍光を測定した結果，Al表面プラズモンセンサと比べて約5.0倍高い蛍光強度を得た．この結果は，電界計算の予測とほぼ等しい．

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