磁場-パルスプラズマ援用化学気相成長法を用いたa-SiCN隔膜に対するパルスパラメータ変化が及ぼす影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19-P-19

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

著者名: 村野 正典(近畿大学),松谷 貴臣(近畿大学),川﨑 忠寛(ファインセラミックスセンター)

要約(日本語): 環境セル型透過電子顕微鏡（E-TEM）用隔膜の開発として，磁場-パルスプラズマ援用化学気相成長法を用いたアモルファス窒炭化ケイ素隔膜の作製を試みている．隔膜は，試料室内のガスを封じ込め，かつ光源である電子線を透過させることが求められる．今回，E-TEMの高分解能実現のためにパルスパラメータ（電圧，パルス幅，周波数）を任意に変化できる電源を用いて作製した隔膜の特性評価を行った．（

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