マイクロ波プラズマによる窒素ラジカル生成および評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19-P-26

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

著者名: 小川 隼平(埼玉工業大学),黒田 達也(埼玉工業大学),小池 龍我(埼玉工業大学),石崎 博基(埼玉工業大学)

キーワード: ALD|窒素ラジカル|マイクロ波プラズマ

要約(日本語): 現在，MOSFETのゲート絶縁膜の成膜方法において，Atomic Layer Deposition(ALD)法による成膜は，膜厚および膜組成の微細な制御もできる成膜法として知られている．近年ではプラズマを用いて反応性の高い窒素ラジカル等を生成し，欠陥の誘発を抑える研究が進んでいる．
そこで本研究では，ALD法に用いるマイクロ波プラズマの発生に用いるマイクロ波発生装置の作製を行い，マイクロ波プラズマ出力，N₂ガス流量と生成した窒素ラジカル生成濃度との関係を評価した．

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