室温放射線照射および加熱がシリコーンゴムのテラヘルツ吸収に与える影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19-P-37

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

著者名: 兼子 拓也(早稲田大学),平井 直志(早稲田大学),大木 義路(早稲田大学)

キーワード: 絶縁材料|無機高分子|赤外分光|非破壊計測|酸化|架橋

要約(日本語): シリコーンゴム（SiR）への室温放射線照射と290^oCへの加熱がテラヘルツ（THz）帯と赤外域での吸収に与える影響を調べた．1.5THz付近の幅広い吸収と3.0THz以上での吸収は室温放射線照射により増加するが，加熱では1.5THz付近の吸収は減少する．一方，赤外吸収分光により，カルボニル基が室温放射線照射では大幅に増加するが，加熱ではむしろ若干減少する．

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