C3F8ガス中の電子輸送解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 19-P-42

グループ名: 【A】平成29年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2017/09/15

タイトル：C₃F₈ガス中の電子輸送解析

著者名: 河原 翼(室蘭工業大学),川口 悟(室蘭工業大学),高橋 一弘(室蘭工業大学),佐藤 孝紀(室蘭工業大学)

キーワード: C₃F₈|電子衝突断面積|Monte Carlo simulation|電子スオーム法

要約(日本語): 解離性電離断面積や解離性電子付着断面積に関する部分断面積の実測値を考慮したC₃F₈ガスの電子衝突断面積セットを推定した．この電子衝突断面積セットを用いてMonte Carlo simulationによって求められた電子ドリフト速度，縦方向拡散係数および実効電離係数の値は，報告されている実測値と良く一致し，推定した断面積セットの妥当性が確認された．

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