紫外線オゾン処理による塗布型IGZO-TFTの低温化プロセスとFET特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-C-a1-4

グループ名: 【A】令和元年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/16

著者名: 角田 航(千葉大学),瀬川 康樹(千葉大学),山内 博(千葉大学),岡田 悠悟(千葉大学),酒井 正俊(千葉大学),山本 和貫(千葉大学),飯塚 正明(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

キーワード: IGZO|低温プロセス|溶液法|UVオゾンアシスト加熱処理|フーリエ赤外分光法|フレキシブルデバイス

要約(日本語): 本研究では塗布型IGZOを用いて電界効果トランジスタ(FET)をガラス基板上に作製した．InやGaはレアメタルであることから，IGZOの組成比率は低In，Ga領域においてFETの作製を行った．活性層であるIGZOの成膜時には，フレキシブルデバイスへの応用を見据え，UV/O₃アシスト加熱処理を施し，低温プロセス化を図った．また，作製したFETのFET特性の測定およびIGZO薄膜のフーリエ赤外分光法による化学結合状態の評価，界面準位の評価を行った．

PDFファイルサイズ: 351 Kバイト