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耐圧13kV級SiC-MOSFETの電気的特性評価と誘導性パルスパワー電源への応用

耐圧13kV級SiC-MOSFETの電気的特性評価と誘導性パルスパワー電源への応用

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-D-a2-1

グループ名: 【A】令和元年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/16

著者名: 小野寺 太一郎(岩手大学),高橋 克幸(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),坂本 邦博(産業技術総合研究所)

キーワード: 炭化ケイ素|MOSFET|パルスパワー

要約(日本語): 耐圧13kV級SiC-MOSFETの電気的特性を評価し,誘導性エネルギー蓄積方式 (IES) パルス電源を開発した.閾値電圧は2.3Vから5.4Vとなり,印加電圧10kV,負荷抵抗500Ωでターン・オン時間53ns,ターン・オフ時間51 nsが得られた.最大パルス電流は118A,オン抵抗は0.86 Ωとなった.SiC-MOSETをIESパルス電源にオープニングスイッチとして組み込んだ際,充電電圧1100V,充電時間500nsの条件で,最大出力電圧31kV,パルス半値幅60nsが得られた.

PDFファイルサイズ: 1,821 Kバイト

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