150 kHz 帯大電力バースト型誘導性結合Ar/CF4プラズマを用いたシリコンウエハエッチング

カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-A-a2-3

グループ名: 【A】令和元年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/16

タイトル：150 kHz 帯大電力バースト型誘導性結合Ar/CF₄プラズマを用いたシリコンウエハエッチング

著者名: 齋藤 雄真(岩手大学),柴田 晃大(岩手大学),高橋 克幸(岩手大学),向川 政治(岩手大学),高木 浩一(岩手大学),行村 建(岩手大学),小木曽 久人(産業技術総合研究所),中野 禅(産業技術総合研究所)

キーワード: バーストICP|高密度プラズマ|CF4|パルスプラズマ|ドライエッチング

要約(日本語): 大電力バースト型誘導性結合プラズマによるシリコンのエッチング特性を調べた．プラズマ源は，200μsのバースト幅，50Hzの繰り返し率，6.0kWのRF電力においた駆動した．基板には-1kVまでDCパルス電圧が印加され，Arに対するCF₄の流量比を50%まで変化させた．基板位置におけるプラズマ密度は約10¹⁹ m^-3，電子温度は約2.8eVであった．エッチング速度は印加電圧に比例し，最大で0.23μm/minとなった．約25%の流量比で，エッチング速度が最大となった．

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