種々の条件におけるマイクロ波プラズマを用いたSi基板上へのSiO2薄膜の形成及び評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 4-B-a2-4

グループ名: 【A】令和元年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/16

タイトル：種々の条件におけるマイクロ波プラズマを用いたSi基板上へのSiO₂薄膜の形成及び評価

著者名: 小川 隼平(埼玉工業大学),黒田 達也(埼玉工業大学),加藤 那征(埼玉工業大学),芳賀 洋典(埼玉工業大学),石崎 博基(埼玉工業大学)

キーワード: 酸化シリコン|ゲート絶縁膜|マイクロ波プラズマ

要約(日本語): 近年，ULSIの高集積化により，様々な方法でMOSFETデバイスの動作速度向上の研究が行われている．中でも，ゲート絶縁膜の特性改善においては，マイクロ波プラズマによるSiN薄膜形成において，低い界面準位密度が得られることが分かっている．そこで，本研究では，種々の条件におけるマイクロ波プラズマを用いて，Si基板上へのSiO₂薄膜の形成及び評価を行なった．

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