Si基板上へのSr-Passivation処理によるショットキー障壁の制御

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-P-30

グループ名: 【A】令和元年電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集

発行日: 2019/08/16

著者名: 黒田 達也(埼玉工業大学),小川 隼平(埼玉工業大学),加藤 那征(埼玉工業大学),芳賀 洋典(埼玉工業大学),石崎 博基(埼玉工業大学)

キーワード: 半導体|絶縁膜|パッシベーション

要約(日本語): MOSFETの動作速度を向上させるにはゲート絶縁膜の薄膜化がキーポイントである．しかし，薄膜化の他に界面欠陥による特性劣化も考慮しなければならない．成膜前の基板表面にはダングリングボンドが存在し，基板表面の自然酸化物が欠陥を引き起こす．その影響で，Fermi-level pinningが起こり，ショットキー障壁の制御が出来なくなる．そのため，成膜前に基板表面をSr-Passivation処理することでショットキー障壁の制御を行い，MOSキャパシターの性能向上を検討した．

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