CMOSチップ搭載人工視覚デバイス用高性能刺激電極の作製
CMOSチップ搭載人工視覚デバイス用高性能刺激電極の作製
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: BMS10020
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム研究会
発行日: 2010/06/18
タイトル(英語): Fabrication of high performance stimulus electrodes employed in a CMOS chip for retinal prosthesis
著者名: 野田 俊彦(奈良先端科学技術大学院大学),冨松 慎吾(奈良先端科学技術大学院大学),笹川 清隆(奈良先端科学技術大学院大学),徳田 崇(奈良先端科学技術大学院大学),太田 淳(奈良先端科学技術大学院大学)
著者名(英語): Noda Toshihiko(Nara institute of science and technology),Tomimatsu Shingo(Nara institute of science and technology),Sasagawa Kiyotaka(Nara institute of science and technology),Tokuda Takashi(Nara institute of science and technology),Ohta Jun(Nara institute of science and technology)
キーワード: 人工視覚|CMOS|刺激電極|電荷注入能力|酸化イリジウム
要約(日本語): 網膜刺激方式の人工視覚デバイスでは、多点刺激実現の為に超小型電極が必要とされるが、小型化により刺激に十分な電荷注入能力を得る事が困難になる。そこで本研究では、電荷注入能力の高い高性能刺激電極の作製を試みた。電荷注入能力の高いIrOxなどの材料に着目し、製作条件の検討を行った。また電気化学的手法により、電荷注入能力を評価した。作製した高性能電極による動物実験を行い、網膜刺激が可能である事を確かめた。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 2,721 Kバイト
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