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Cat-CVD法によるシリコン窒化膜を用いたCMOS ISFETセンサアレイの医療応用

Cat-CVD法によるシリコン窒化膜を用いたCMOS ISFETセンサアレイの医療応用

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: BMS11002

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム研究会

発行日: 2011/03/22

タイトル(英語): CMOS ISFET Sensor Array with Catalytic Chemical Vapor Deposited Silicon Nitride Layer and Its Medical Applications

著者名: 山渡 翔太(名古屋大学),宇野 重康(名古屋大学),中里 和郎(名古屋大学),大平 圭介(北陸先端科学技術大学院大学),松村 英樹(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Shota Sando(Nagoya University),Shigeyasu Uno(Nagoya University),Kazuo Nakazato(Nagoya University),Ohdaira Keisuke(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Hideki Matsumura(Japan Advanced Institute of Science and Technology)

キーワード: CMOS|ISFET

要約(日本語): 近年、再生医療や、患者への負担を最小限にとどめることを目的とするような医療現場において、「装置の小型化」・「微細な感応部を持つ」・「短い応答時間」などの特徴を持つIon-Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)の利用が期待されている。本研究ではISFETセンサアレイを用いて、pH変化の測定およびイメージングをした後、実際に測定対象として乳酸菌を用いることで細菌の生体反応の観測を行った。これにより、乳酸菌の糖類に対する代謝反応の確認ができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,128 Kバイト

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