ポリシリコン表面の平坦化によるフィルタフリー蛍光センサの波長分離能力向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: BMS16004

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム研究会

発行日: 2016/04/27

タイトル(英語): Enhancement of the filter-free fluorescence sensor by the surface planarization of polysilicon photogate

著者名: 崔 容俊(豊橋技術科学大学),高橋 一浩(豊橋技術科学大学),松田 倫明(豊橋技術科学大学),飛沢 健(豊橋技術科学大学),森脇 優(豊橋技術科学大学),太斎 文博(豊橋技術科学大学),木村 安行(豊橋技術科学大学),秋田 一平(豊橋技術科学大学),岩田 達哉(豊橋技術科学大学),石田 誠(豊橋技術科学大学),澤田 和明(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Yong Joon Choi(Toyohashi university of technology),Kazuhiro Takahashi(Toyohashi university of technology),Motoharu Matsuda(Toyohashi university of technology),Takeshi Hizawa(Toyohashi university of technology),Yu Moriwaki(Toyohashi university of technology),Fumihiro Dasai(Toyohashi university of technology),Yasuyuki Kimura(Toyohashi university of technology),Ippei Akita(Toyohashi university of technology),Tatsuya Iwata(Toyohashi university of technology),Makoto Ishida(Toyohashi university of technology),Kazuaki Sawada(Toyohashi university of technology)

キーワード: フィルタフリー蛍光センサ|表面平坦化|波長分離能力|散乱抑制|filter-free fluorescence sensor|surface planarization|separation ability|scattering suppression

要約(日本語): フィルタフリー蛍光センサの波長分離能力を向上するため、フォトゲートの材料であるポリシリコンの表面平坦化し、通過した光の前方散乱を抑制した。従来のLPCVD成膜温度である660℃では16.29nm、今回製膜した温度である550℃では1.63nmと成膜温度を変更することでポリシリコンの表面粗さが10分の1程度に改善することができた。表面粗さが1.63nmの場合、励起光と蛍光の波長分離能力が1200:1であり、従来の性能(800:1)と比較して1.5倍の向上を確認した。

要約(英語): In order to enhance the separation ability for a filter-free fluorescence sensor we improved the planarization of its polysilicon surface. For the surface planarization, deposition was performed by LPCVD at a low temperature, which decreased the RMS roughness from 16.29 to 1.63 nm. The separation ability was increased from 800 : 1 to 1200 : 1 by planarization.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,559 Kバイト