電子線リソグラフィを用いたSiナノワイヤバイオセンサの作製と低濃度抗体検出

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: BMS17049

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 バイオ・マイクロシステム研究会

発行日: 2017/10/04

タイトル(英語): Fabrication of Silicon Nanowire Biosensor Using Electron Beam Lithography and Low-Concentration Antibody Detection

著者名: 田代 朋也(群馬大学),大嶋 駆(群馬大学),櫻井 祐也(群馬大学),張 慧(群馬大学),鈴木 孝明(群馬大学),大嶋 紀安(群馬大学),和泉 孝志(群馬大学),曾根 逸人(群馬大学)

著者名(英語): Tomoya Tashiro(Gunma University),Kakeru Oshima(Gunma University),yuya Sakurai(Gunma University),Hui Zhang(Gunma University),Takaaki Suzuki(Gunma University),Noriyasu Ohshima(Gunma University),Takasi Izumi(Gunma University),Hayato Sone(Gunma University)

キーワード: シリコンナノワイヤ|バイオセンサ|電子線リソグラフィ|フォトリソグラフィ|抗体|silicon nanowire|biosensor|electron beam lithography|photo lithography|antibody

要約(日本語): アレルギー診断やDNA解析では低濃度生体分子を高精度かつ迅速に検出する技術が求められている。そこで我々は電子線リソグラフィを用いて形成したSiナノワイヤ（NW）にフォトリソグラフィによる絶縁膜を形成してSiNWセンサを作製した。このSiNWセンサにPBSで希釈したイムノグロブリンG（IgG）溶液を反応させ、電流電圧測定を行った結果、濃度増加による抵抗変化率の上昇と、検出限界の6.0 fMで約5 %の抵抗変化が得られることを確認した。

要約(英語): High-sensitive and rapid analyzing technology to detect low-concentration biomolecule is desired for allergy test and DNA analysis. We fabricated a Silicon nanowire (SiNW) biosensor using electron beam lithography and photolithography. The SiNW resistance change of 5% was obtained by a reaction of immunoglobulin G with low-concentration of 6.0 fM.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,275 Kバイト