Bi系高温超伝導素子におけるパルス状電流通電時の磁束流抵抗発生状況
Bi系高温超伝導素子におけるパルス状電流通電時の磁束流抵抗発生状況
カテゴリ: 部門大会
論文No: 404
グループ名: 【B】平成16年電気学会電力・エネルギー部門大会講演論文集
発行日: 2004/08/05
タイトル(英語): Generating Process of Flux Flow Resistance for a Pulse Type of Over-current Flowing into a Bi2223 Element
著者名: 六浦 圭太(名古屋大学),清水 洋隆(職業能力開発総合大学校),飯岡 大輔(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),松村 年郎(名古屋大学)
著者名(英語): Keita Mutsuura(Nagoya University),Hirotaka Shimizu(Polytechnic University),Daisuke Iioka(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Toshiro Matsumura(Nagoya University)
キーワード: Bi系高温超伝導素子|磁束流抵抗|パルス状電流|臨界電流密度|励磁突入電流|Bi2223 Element|Flux Flow Resistance|Pulse Type of Over-current|Critical Current Density|Magnetizing Inrush Current
要約(日本語): 変圧器に電圧を印加した直後において励磁突入電流が流れることがある。
筆者らは,超伝導体に発生する磁束流抵抗を用いた励磁突入電流の抑制について検討している。
超伝導体を励磁突入電流抑制素子に適用する場合には,励磁突入電流のような超伝導体にパルス状の過電流を通電した場合における磁束流抵抗の発生特性を把握する必要がある。
本論文では,我々は超伝導体としてBi2223バルクを用い,励磁突入電流通電時における磁束流抵抗の発生特性について実験的および理論的に検討した。
Bi2223バルクを二次側を開放した変圧器の1次側に接続し励磁突入電流を通電して,発生する磁束流抵抗を測定した。
発生した磁束流抵抗と通電電流瞬時値およびバルクに発生したジュール熱との関係について検討した。
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