半導体モジュールパッケイジの汚損耐電圧特性の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 405

グループ名: 【B】平成17年電気学会電力・エネルギー部門大会講演論文集

発行日: 2005/08/10

タイトル(英語): Insulation Characteristics of Contaminated Semiconductor Module Packages

著者名: 小川 友也(津山工業高等専門学校),田辺 茂(津山工業高等専門学校)

著者名(英語): Tomoya Ogawa(Tsuyama National College of Technology),Shigeru Tanabe(Tsuyama National College of Technology)

キーワード: IGBT|モジュールパッケイジ|汚損|直流耐電圧|IGBT|module Package|Contamination|DC　Withstand　Voltage

要約(日本語): 1700Vあるいはこれ以上の耐電圧を有する半導体モジュールが出現しており,電力分野の各種用途の電力変換装置に使用され始めている。こうしたモジュールの絶縁パッケイジには有機絶縁材料が用いられるが,その絶縁信頼性を,他の電力機器用材料と同様な視点で評価した報告は少ない。今回はモジュールの絶縁パッケイジについて,汚損状態での直流耐電圧特性を実験的に検証したので報告する。

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