半導体モジュールパッケージの直流汚損耐電圧特性の検討 - その2

カテゴリ: 部門大会

論文No: 289

グループ名: 【B】平成18年電気学会電力・エネルギー部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/13

タイトル(英語): DC Insulation Characteristics of Contaminated Semiconductor Module Packages - Part2

著者名: 田辺 茂(津山工業高等専門学校),小川 友也(津山工業高等専門学校)

著者名(英語): Shigeru Tanabe(Tsuyama National College of Technology),Tomoya Ogawa(Tsuyama National College of Technology)

キーワード: 半導体モジュール|直流汚損|長期沿面絶縁特性長期沿面絶縁特性|Semiconductor Module|DC Contamination|Long Term Creepage Insulation

要約(日本語): 耐電圧が3000Vを超える高電圧半導体素子が電力分野で使用され始めたが、これらの素子は有機絶縁材料製のモジュールパッケージからなっている。これが長期間の使用で汚損したときの長期間の直流耐電圧特性を把握することは、この半導体素子の信頼性を評価するために極めて重要である。そこで、各種の沿面形状について、長期間の電圧対時間特性を実験により求めた。沿面形状と絶縁信頼性との関係について得られた知見を報告する。

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