Quantitative Study on Higher Switching Capability of Multi-Level High Voltage Power Converters with Si-IEGT and SiC-PiN Diode Hybrid Pair

カテゴリ: 部門大会

論文No: 51

グループ名: 【B】平成21年電気学会電力・エネルギー部門大会講演論文集

発行日: 2009/08/18

タイトル(英語): Quantitative Study on Higher Switching Capability of Multi-Level High Voltage Power Converters with Si-IEGT and SiC-PiN Diode Hybrid Pair

著者名: 金城達人 (産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所),成慶眠 (茨城工業高等専門学校),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Tatsuto Kinjo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Kyungmin Sung(Ibaraki National College of Technology),Ohashi Hiromichi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: High Voltage Semiconductor Devices|High Voltage High Power Converters|Power loss model|Switching Frequency|Switching Allowable Capability|High Voltage Semiconductor Devices|High Voltage High Power Converters|Power loss model|Switching Frequency|Switching

要約(日本語): 本論分では、ハイブリッドペア（４．５ｋＶＳｉ?ＩＥＧＴと５ｋＶＳｉＣ?ＰｉＮダイオード）を有するＮＰＣ（中性点クランプ）３レベル高電圧電力変換器の動作周波数限界の定量的調査を行っている。その限界を調査するため、ハードドライブにおけるハイブリッドペアの高速スイッチング能力を評価し、３レベル変換器およびバイポーラデバイスに関する詳細な損失査定法（損失モデル）を提案している。　ハードドライブにおけるハイブリッドペアを有するＮＰＣ３レベル変換器における高周波動作の可能性は、損失モデルを用いて明らかにされる。

PDFファイルサイズ: 9,966 Kバイト