Quantitative Determination of Limiting Switching Speed and Circuit Parameters of High Voltage Power Converters Based on Diode Reverse Recovery Characteristics

カテゴリ: 部門大会

論文No: 54

グループ名: 【B】平成22年電気学会電力・エネルギー部門大会講演論文集

発行日: 2010/09/01

タイトル(英語): Quantitative Determination of Limiting Switching Speed and Circuit Parameters of High Voltage Power Converters Based on Diode Reverse Recovery Characteristics

著者名: 金城達人 (産業技術総合研究所),山口 浩(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Tatsuto Kinjo(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroshi Yamaguchi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 高電圧電力変換器|スイッチング速度|寄生回路パラメータ|シリコンカーバイドPiNダイオード|high voltage power converters|switching speed|stray circuit parameters|SiC-PiN diode

要約(日本語): 研究では、SiCデバイスの優れた性能を活用するための初期検討として、高耐圧SiCダイオードを適用した高電圧・大電力変換器を対象に、ダイオードスイッチングリカバリに特化した回路モデルを作成し、リカバリ特性と回路パラメータとの依存性の定量化について検討を行い、スイッチング速度（電流変化率）と寄生インダクタンスの設計指針を確立することを目的としている。

PDFファイルサイズ: 46,120 Kバイト