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微小欠陥を含む絶縁物のV-t特性 No.4 クラック欠陥

微小欠陥を含む絶縁物のV-t特性 No.4 クラック欠陥

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 347

グループ名: 【B】平成25年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2013/08/27

タイトル(英語): V-t characteristics of micro-defects in inner epoxy insulators -No.4 crack defect-

著者名: 亀井 光仁(三菱電機),何 志賢(三菱電機),西田 智恵子(三菱電機),植田 玄洋(東京電力),和田 純一(東京電力),岡部 成光(東京電力)

著者名(英語): Mitsuhito Kamei(Mitsubishi Electric Corporation),Shiken Ka(Mitsubishi Electric Corporation),Chieko Nishida(Mitsubishi Electric Corporation),Genyo Ueta(Tokyo Electric Power Company),Junichi Wada(Tokyo Electric Power Company),Shigemitsu Okabe(Tokyo Electric Power Company)

キーワード: ガス絶縁開閉装置|エポキシ絶縁物|微小欠陥|クラック|V-t特性|Gas insulated switchgear|Epoxy insulator|Micro-defect|Crack|V-t characteristics

要約(日本語): 現在,一般に想定寿命といわれている30年を超えて運用されているガス絶縁開閉装置(GIS)が増加しつつある。このような高経年GISの,絶縁面での寿命を決める支配的な要因の一つとして,固体絶縁物の劣化が考えられる。通常,部分放電(PD)試験に合格した良品であれば,30年程度の設計寿命の範囲では絶縁不良に至らないと考えられている。一方で,30年を超えた運転を想定すると,PD試験での検出レベル以下の極微小な欠陥が絶縁物内部に存在した場合の絶縁特性を把握しておく必要がある。本報告は,想定される欠陥形状の内,最もリスクが大きいとされるクラック欠陥を対象として,V-t特性の取得により長期運転下での破壊リスクを評価した結果を報告する。

PDFファイルサイズ: 1,875 Kバイト

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