IGBT型半導体限流器が生じるインピーダンスのゲート電圧依存性に関する実験的検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 163

グループ名: 【B】平成26年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2014/09/10

タイトル(英語): An Experimental Study on Dependence of Gate Voltage of IGBT Semiconductor Type Fault Current Limiter on Current-Limiting Impedance

著者名: 続木 裕之(名城大学),飯岡 大輔(名城大学)

著者名(英語): Hiroyuki Tsuzuki(Meijo University),Daisuke Iioka(Meijo University)

キーワード: 半導体限流器|IGBT|ゲート電圧ゲート電圧|semiconductor type fault current limitter|IGBT|gate voltage

要約(日本語): 筆者らは、同期発電機を有する需要家の瞬低補償として、限流器の導入を検討している。これまでの検討では、限流器の復帰時に発生する同期発電機の過電流を限流器のインピーダンスを徐々に減らすことで抑制できることを計算機シミュレーションにより明らかにした。本稿では、IGBTを使用した半導体限流器において、限流器のインピーダンスを徐々に変化させることを実装する第１段階として、ゲート電圧を変化させることによって、IGBTと限流抵抗に流れる電流がどのように変化するか実験的に明らかにした。

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