マイクロプロセッサを用いたスイッチングトランジスタのデューティ比制御法による高効率スーパーキャパシタ蓄電技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: 111

グループ名: 【B】平成27年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2015/08/26

タイトル(英語): Supercapacitor Charging technology with Consecutive Changes of the Duty Ratio of the Switching Transistor using a Microprocessor

著者名: 中田 俊司(近畿大学),小野 雅貴(近畿大学),崎谷 正人(近畿大学)

著者名(英語): Shunji Nakata(Kinki University),Masaki Ono(Kinki University),Masato Sakitani(Kinki University)

キーワード: スーパーキャパシタ|スイッチングトランジスタ|デューティ比デューティ比|Supercapacitor|Switching Transistor|Duty Ratio

要約(日本語): エネルギー損失を低減してスーパーキャパシタの充電および放電を行う回路の設計を行った。PICマイコンを用いて、スイッチングトランジスタのデューティ比を階段的に制御することにより、インダクタを流れる電流の制御を行った。スイッチングトランジスタはパワーMOSFETを用いることとし、電源側にpMOSFET、GND側にnMOSFETを接続した。充電と放電の両過程において回路を流れる電流の測定から、8ステップの充放電の場合に電流値が1/8倍となることが明らかとなった。これより定電圧電源により充電する場合と比較して、エネルギー損失が1/8倍となることが明らかになった。

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