サブストレートヒューズにおける並列遮断点数の増加が遮断特性に及ぼす影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 297

グループ名: 【B】平成27年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2015/08/26

タイトル(英語): Effect of Parallel Interruption Points on Current Interruption Characteristics of Substrate Fuse

著者名: 庄司晴紀 (埼玉大学),山納 康(埼玉大学)

著者名(英語): Haruki Shoji(Saitama University),Yasushi Yamano(Saitama University)

キーワード: 遮断特性|並列遮断点|半導体保護用ヒューズ|アーク放電|current interruption characteristics|parallel interruption point|semiconductor protection fuse|arc discharge

要約(日本語): 半導体保護用ヒューズにおいて、遮断部を細かく加工し、並列遮断点数を5点から16点に増やすことによって、遮断特性が向上する傾向があることが確認されている。この並列遮断点数の増加に伴って、遮断特性が向上することをP効果という。しかし、P効果の要因の特定や、その限界の確認は未だになされていない。
本稿では、直列遮断点数が24点、並列遮断点数がそれぞれ32、64、80点形成された半導体保護用ヒューズで遮断試験を行い、P効果について検討する。並列遮断点数を32点から64点に増やすことで、遮断特性の向上が見込まれたが、64点から80点に増やすことで、遮断特性の向上は見込まれなかった。

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