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スイッチングトランジスタのデューティ比制御法による高効率キャパシタモジュール蓄電技術

スイッチングトランジスタのデューティ比制御法による高効率キャパシタモジュール蓄電技術

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カテゴリ: 部門大会

論文No: P29

グループ名: 【B】平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2016/09/05

タイトル(英語): Supercapacitor Module Charging Technology with Consecutive Changes of the Duty Ratio of the Switching Transistor

著者名: 中田 俊司(近畿大学)

著者名(英語): Shunji Nakata()

キーワード: スーパーキャパシタ|スイッチングトランジスタ|デューティ比デューティ比,Supercapacitor,Switching Transistor,Duty Ratio

要約(日本語): エネルギー損失を低減してスーパーキャパシタモジュールの充電を行う回路の設計を行った。
PICマイコンを用いて、スイッチングトランジスタのデューティ比を階段的に制御することにより、インダクタを流れる電流の制御を行った。スイッチングトランジスタはパワーMOSFETを用いることとし、電源側にpMOSFETを接続し、GND側にはダイオードを接続した。充電の過程において回路を流れる電流の測定から、提案回路の充電時の効率が91%と良好な値であることが明らかになった。

PDFファイルサイズ: 424 Kバイト

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