高分子がい管のフラッシオーバ電圧に与える笠上下面不平等汚損の影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 328

グループ名: 【B】平成28年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2016/09/05

タイトル(英語): Flash Over Voltage of Polymer Hollow Insulators under Non-uniform Contaminated Conditions.

著者名: 畔栁 俊幸(電力中央研究所)

著者名(英語): Toshiyuki Kuroyagi()

キーワード: 高分子がい管|塩害|フラッシオーバ|磁器がい管|耐電圧等価霧中法,polymer hollow insulator,salt contamination,flash over,porcelain,withstand voltageequivalent clean fog method

要約(日本語): 平均直径が細い高分子がいしは，同漏れ距離かつ太径の磁器長幹がいしと比較し，汚損湿潤時の電圧分担の多段分割効果により汚損フラッシオーバ電圧が高くなることが知られている。本報告では，同漏れ距離かつ平均直径が同程度である高分子がい管と磁器がい管においても，試験方法により汚損フラッシオーバ電圧が異なる場合があることを明らかにした。この相違は，がい管表面への汚損液付着の不平等性に起因する。汚損液をがい管表面に流し掛けた場合，高分子がい管では笠上下面の汚損物付着量比率が大きくなり，漏れ抵抗の分布が高低を繰り返す状態となるため電圧分担の多段分割効果が発現し，フラッシオーバ電圧が向上する。

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