誘導雷故障太陽電池モジュールのバイパス回路の抵抗値

カテゴリ: 部門大会

論文No: P57

グループ名: 【B】平成29年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2017/09/05

タイトル(英語): Resistance of bypass route in PV module damaged by induced lightning

著者名: 阪井 誉(津山工業高等専門学校),桶 真一郎(津山工業高等専門学校),南野 郁夫(宇部工業高等専門学校),濱田 俊之(宇部工業高等専門学校),藤井 雅之(大島商船高等専門学校),石倉 規雄(米子工業高等専門学校)

著者名(英語): Homare Sakai|Shinichiro Oke|Ikuo Nanno|Toshiyuki Hamada|Masayuki Fujii|Norio Ishikura

キーワード: バイパス回路|誘導雷|I-V特性|故障抵抗,bypass route,induced lightning,I-V curve,fault resistance

要約(日本語): 本報では，誘導雷によって故障した太陽電池モジュールのI-V特性を実測し，バイパスルート（BPR）の故障状態を検討した。さらにバイパスダイオード（BPD）の故障状態を，1クラスタごとの実験によってより詳しく検討した。1クラスタごとのI-V特性は，バイポーラ電源を用いて暗状態において1回あたり120sかけて2回繰り返して計測した。計測結果より雷故障モジュールのBPD1つ当たりの故障抵抗値を計算し0.09?1.7Ωほどだった。またシミュレーションではBPRをダイオードと抵抗の直並列回路として模擬し，実測のI-V特性の形状を再現した。

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