FDTD法を用いた3並列ZnOバリスタの電界解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 267

グループ名: 【B】平成30年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2018/09/12

タイトル(英語): FDTD Analysis of Electric Field of a Three-Parallel-Element ZnO Varistor

著者名: 柘植 亮佑(同志社大学),馬場 吉弘(同志社大学),辻本 義将(音羽電気工業),塚本 直之(音羽電気工業)

著者名(英語): Ryosuke Tsuge|Yoshihiro Baba|Yosimasa Tuzimoto|Naoyuki Tukamoto

キーワード: 時間領域有限差分法|雷|過電圧|酸化亜鉛バリスタ,FDTD,lightning,overvoltage,ZnO varistor

要約(日本語): 雷サージのような異常高電圧から回路を保護する目的で，酸化亜鉛バリスタ素子（ZnO 素子）が回路に並列に取り付けられることが多い。ZnO の非線形特性を考慮し，ZnO 素子各部に生じる過渡電界分布を把握することができれば，素子設計に非常に役立つと考えられる。本論文では，トータルの処理電流容量の拡張を狙った3並列ZnO 素子に，雷インパルス電流が流入した場合の過渡電界の解析をFDTD法を用いて行う。なお，ZnO素子は，電界依存抵抗率をもつ微小セル群で模擬する。

PDFファイルサイズ: 1,232 Kバイト