CVケーブル半導電層の異方性を考慮した抵抗率測定法の理論－アフィン写像と楕円関数の応用例－

カテゴリ: 部門大会

論文No: 252

グループ名: 【B】令和元年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2019/08/23

タイトル(英語): Measurement Method Theory of Resistivity of the Semi-conductive Layers for XLPE Cables Considering Anisotropy-An Application of Affine Transformation and Elliptic Function

著者名: 渡辺 和夫(千葉大学)

著者名(英語): Kazuo Watanabe()

キーワード: CVケーブル|半導電層|異方性|抵抗率|アフィン写像楕円関数,XLPE cable,Semi-conductive layer,,Anisotropy,Resistivity,Affine transformationElliptic function

要約(日本語): CVケーブル半導電層の抵抗率はケーブル設計の基本定数の一つである。この半導電層の抵抗率を求める非破壊測定法について、筆者はこれまでいくつかの方法を提案してきた。その一つは、ケーブルコア端部に電極を付けて抵抗率を測定する非破壊測定法である。これは抵抗率の等方性を前提としている。　本報告では、異方性を有する半導電層にこの測定法をそのまま適用した場合、求まる抵抗率は何を表すのかを「アフィン写像による等方化写像理論」を用いて検討した。その結果、この抵抗率は、異方性領域を等方性領域に変換した時の等価抵抗率となることが分かった。半導電層表面に沿って軸方向と傾斜して電流が流れた場合の抵抗値計算に役立つものと考えられる。また、この計算は、異方性誘電体の静電容量計算や磁気異方性媒質中の磁界問題にも適用できると考えられる。

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