不平等電界下におけるシリコーンゲル中絶縁破壊機構の放電路電界解析による検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 303

グループ名: 【B】令和元年電気学会電力・エネルギー部門大会

発行日: 2019/08/23

タイトル(英語): Breakdown mechanism in silicone gel under non-uniform electric field
based on electric field calculation of discharge path

著者名: 大石 雄介(九州工業大学),大塚 信也(九州工業大学)

著者名(英語): Yusuke Oishi|Shinya Ohtsuka

キーワード: シリコーンゲル|絶縁破壊機構|放電|電界計算|画像処理,silicone gel,breakdown mechanism,discharge,electric field calculation,image processing

要約(日本語): パワーデバイスの封止材としてシリコーンゲルが使用されている。筆者らはこれまで、高速ビデオカメラで不平等電界下における1液型シリコーンゲル中の絶縁破壊までの放電進展撮影を行い、放電路がステップ的に進展する様子を観測している。本研究では、この放電進展の様子を、画像解析ソフトimageJで二値化処理や差分表示を行い、放電進展長や放電進展速度を求めた。さらにこのような放電路の進展を、放電路をボイドあるいは導電路と仮定した電界解析により電界分布を算出し検討した。その結果、放電路を導電路と仮定した場合に放電は進展できることがわかった。

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