HfO2/ポリマー2層ゲート絶縁層上に作製したPh-BTBT-10 FETの作製とパターン化の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-A-p1-8

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 陳 博駿（信州大学）, 相川 史弥（信州大学）, 伊東 栄次（信州大学）

キーワード: 有機トランジスタ|酸化ハフニウム|ポリイミド|自己組織化単分子膜|パターン化

要約(日本語): 本研究では低温プロセス可能な陽極酸化酸化ハフニウムとポリマー薄膜からなる2層ゲート絶縁層上にメニスカス法を用いてPh-BTBT-10有機半導体を製膜した有機トランジスタの作製と評価を行った。また、自己組織化単分子膜と深紫外光処理により濡れ性制御することでポリマーおよび有機半導体のパターン化を試みた。基板加熱しながら半導体層を塗布することにより有機半導体層の高速製膜と移動度の向上を確認した。

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