RF低圧テトラメチルシランプラズマにおける基板への入射ラジカルおよびイオンの投入電力依存性の計測

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-B-p1-1

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 石井 晃一（千葉工業大学）, 鈴木 駿（千葉工業大学）, 小田 昭紀（千葉工業大学）, 渡邉 泰章（イノベーションサイエンス）, 上坂 裕之（岐阜大学）, 太田 貴之（名城大学）

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|プラズマ?援CVD|テトラメチルシラン|質量分析

要約(日本語): Si含有DLC(Diamond-Like Carbon)膜は通常のDLC膜よりも摩擦係数が低いため自動車のしゅう動部品等に用いられている。本成膜時には,不活性ガス(Ar, He等)で希釈されたテトラメチルシランガスを用いたプラズマ支援CVD法が主に用いられている。その際,希釈ガス種による膜特性の変化,入力電力を高くすることによる膜の高硬度化が報告されている。しかし,希釈ガス種に加え入力電力を変化させた際のプラズマ特性および基板へのラジカル量, イオン量の計測はあまり行われていない。そこで本研究では,異なる希釈ガス(Ar, He)で希釈されたテトラメチルシランプラズマの電極への入射ラジカル量およびイオン量を計測したので,その結果について報告する。

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