N+イオンビーム照射による PTFE の表面処理と銅薄膜付着性の改善

カテゴリ: 部門大会

論文No: 1-P-C-2

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 中山 芳隆（工学院大学）, 鷹野 一朗（工学院大学）

キーワード: PTFE|ion beam|Cu thin film|Adhesiveness

要約(日本語): PTFEは、低摩擦係数、耐熱性、電気絶縁性などの優れた特性を有し、半導体や化学プラントなどの分野に用いられている。PTFEはフライパンの表面加工にも用いられ、強力なF-C結合により焦げ付きを抑制する。一方、PTFEは高絶縁性と低誘電性を示すため、5Gなどの高周波用基板としての用途が期待される。しかしながらPTFEと他物質との非付着性が課題とされており、基板として用いるためには銅とPTFEの付着を改善する必要がある。本研究では、PTFE基板に対して45度でN+イオンビームを照射し、照射時間に対する表面化学状態と銅薄膜の付着性を調査した。その結果、照射時間が70s以降でフリーのCが増加し、銅薄膜の付着性が向上することを明らかにした。

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