Ni触媒の酸化によるヘテロ接合型グラフェンTFTの高性能化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2-A-p1-4

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 市川 和典（松江工業高等専門学校）, 江角 卓哉（松江工業高等専門学校）, 大島 多美子（佐世保工業高等専門学校）

キーワード: グラフェン|薄膜トランジスタ(TFT)|ヘテロ接合

要約(日本語): 我々はグラフェンTFT ( Thin Film Transistor ) の高い電界効果移動度を得る研究に取り組んでいる. 本研究においてグラフェン合成前に酸素を導入しNi触媒を酸化することにより、形成されたNi化合物半導体とグラフェンのヘテロ構造を明らかにし, 高い電流値が得られた酸素濃度65, 90%におけるグラフェンTFTを作製した。その結果, 各酸素濃度で転写フリ-グラフェンTFTの動作に成功し, 酸素を導入しない場合に比べてドレイン電流が増大しOn/Off比が向上した. 更に相互コンダクタンスについても向上し90%で電子移動度25,200 cm2/Vsの高移動度を示した.

PDFファイルサイズ: 231 Kバイト