集束超音波による発熱を利用した 積層構造半導体デバイスの故障解析法における最適周波数条件の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 2-C-p1-4

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 林 隼也（豊橋技術科学大学）, 松井 拓人（豊橋技術科学大学）, 川島 朋裕（豊橋技術科学大学）, 穂積 直裕（豊橋技術科学大学）, 松本 徹（浜松ホトニクス）

キーワード: 超音波計測|非破壊検査|半導体デバイスの故障解析|積層構造

要約(日本語): 半導体デバイスの故障解析では,レーザ加熱を用いたOBIRCH法が広く使用されている。OBIRCH法のレーザ加熱を超音波に代替したSOBIRCH法は,樹脂を取り除く必要がなく,故障状態を維持したまま検査が可能である。しかし,近年主流となっている積層構造を有する半導体デバイスでは,超音波の減衰によって信号強度が低下する。一方で,適切な周波数を選択することで,構造内部での超音波の共振が利用でき,信号強度を向上できる可能性がある。本研究では,積層構造を模した簡易的な試料を用いて,SOBIRCH法の信号強度の向上についてその蓋然性を検討した。反射波の周波数成分を用いて、SOBIRCH信号の強度が向上する周波数を推定可能なことが示唆された。

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