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結晶Si太陽電池モジュールにおける耐久性向上に向けた開発
結晶Si太陽電池モジュールにおける耐久性向上に向けた開発
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 3-C-a2-3
グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会
発行日: 2021/09/01
著者名: 城内 紗千子(新潟大学), 増田 淳(新潟大学)
キーワード: 結晶Si太陽電池モジュール|透明導電膜||耐久性試験
要約(日本語): 結晶Si太陽電池モジュールの長寿命・耐久性向上のために, 結晶Si太陽電池セル表面上にITO膜を形成し, モジュール化した. ITO膜は, 5 nm, 10 nm, 30 nm, 50 nm, 70 nm, 100 nmの6種類の厚みを形成後, モジュール化し, PID試験, キセノン耐光性試験, 高温高湿試験, 乾熱試験を実施した. PID現象では, ITO膜を形成したセルにおいて大きく劣化を抑制でき, 膜厚にも最適値があることが分かった. また, フィンガー電極の破断が劣化の主原因となるDH試験では, フィンガー電極が破断してもITO膜を介してキャリアの収集ができる可能性があり, 長寿命に繋がる結果となった.
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