誘導加熱法による水素ラジカルを用いたHVPE GaN作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: 3-C-a2-4

グループ名: 【A】令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2021/09/01

著者名: 玉田 耕治（東京工業高等専門学校）, 神田 芽生（東京工業高等専門学校）, 佐伯 匠（東京工業高等専門学校）, 永吉 浩（東京工業高等専門学校）

キーワード: 窒化ガリウム|水素ラジカル|水素化物気相成長法|誘導加熱法|SEM

要約(日本語): 窒化ガリウム(GaN)は優れた光学的・電気的特性から青色・紫外光の発光ダイオードやレーザーダイオード,次世代の超高速スイッチングデバイスやパワーデバイスの材料として注目され実用化されている。一般的に実用化されているGaN基板は塩化ガリウムを用いたHVPE法やトリメチルアンモニウムを用いたMOVPE法によって製造されているが,これらの方法には副生成物による配管の閉塞が起こりやすい。原料の有機金属化合物に含まれる炭素がGaN結晶中に不純物として混入するなどといった問題があった。誘導加熱法による水素ラジカルを用いたHVPE法によるGaN結晶成長を試みた。

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