窒化アルミニウム絶縁基板の高温誘電特性におけるチタン添加量の影響

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-B-a2-4

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 奧村 大吾(九州工業大学), 濵砂 享平(九州工業大学), 小迫 雅裕(九州工業大学), 匹田 政幸(九州工業大学), 長見 知史(トクヤマ), 山本 光一(トクヤマ)

キーワード: 誘電体|絶縁体|誘電特性|複素比誘電率|活性化エネルギー

要約(日本語): 本研究の目的は,パワーモジュール用絶縁基板開発の指針確立への貢献である。これまで,我々はパワーモジュール用絶縁基板材料として広く用いられている窒化アルミニウム(AlN)について室温から450 ℃までの高温領域における誘電特性について調査してきた。そこで,本論文では,室温から400 ℃までの高温領域における窒化アルミニウム(AlN)試料の誘電特性および絶縁特性に及ぼすチタン添加の影響について調査した結果を報告する。その結果,チタン添加量が1 ppm から100ppmの範囲にて増加するに伴い,複素比誘電率?r’ と比誘電損失係数?r’’のどちらも小さくなり,絶縁性能が優れることがわかった。この結果から,チタン添加はAlN相界面での電荷拡散の抑制に起因すると推察した。

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