真空遮断器を模擬した円筒型絶縁系の帯電分布と耐電圧の低下に関する基礎研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-C-p2-4

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 佐々木 悠哉(埼玉大学), 山納 康(埼玉大学), 福田 英昭(明電舎), 山村 健太(明電舎)

キーワード: 真空|沿面放電|帯電

要約(日本語): 本研究では,真空インタラプタモデルの供試サンプルを用いて,全波交流電圧の印加によって生じた帯電が沿面絶縁耐力低下の原因となっているかを調べることを目的とした。 全波交流電圧を供試サンプル印加することで,電界緩和シールドリング間に正帯電が形成されること,印加電圧を大きくすると正帯電が広く,強くなることが分かった。絶縁破壊試験を行い,全波交流電圧を印加することで放電率の上昇が確認した後,帯電測定を行った結果,正帯電が陰極側シールドリング先端付近に形成されていた。絶縁体表面に生じた正帯電は印加側シールドリング先端付近の電界を強めていることが分かったため,絶縁体表面の正帯電が絶縁耐力低下の原因であることが明らかになった。

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト