超高耐圧SiC-MOSFETの磁気アシストによる低損失・高速化の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-D-a1-4

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 山田 裕靖(熊本大学), 佐久川 貴志(熊本大学), 坂本 邦博(産業技術総合研究所), 黒岩 丈晴(産業技術総合研究所)

キーワード: パルスパワー|SiC-MOSFET|磁気アシスト|低損失化|高速化

要約(日本語): 磁気アシストを用いたSiC-MOSFETのスイッチング損失低減を目的としている. 13kV耐圧SiC-MOSFETと直列に可飽和インダクタを接続し,その有無によるスイッチング損失の比較を行った.可飽和インダクタはコア数と巻き数でアシスト時間の調整を行い,2種類の可飽和インダクタを作製した.可飽和インダクタのアシスト時間の増加によりD-S間電圧の降下時間が短くなったことで,入力エネルギーに対してスイッチング損失が磁気アシストなしでは19.2%,コア5個1巻きでは8.0%,コア1個5巻きでは6.1%となった.D-S間電圧降下時間は約200nsから100ns以下に短縮された.アシスト時間が損失と高速化に影響しているのを確かめた.

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