低角度N+イオン照射したPTFEにおける機械的特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 13-P-A-3

グループ名: 【A】令和4年電気学会基礎・材料・共通部門大会

発行日: 2022/08/30

著者名: 中山 芳隆(工学院大学), 鷹野 一朗(工学院大学)

キーワード: PTFE|ion beamDynamic hardness

要約(日本語): 5Gなどをはじめとして情報通信が加速している現代において,さらなる通信速度の高速化や大容量通信の発展が求められている。特に,スマートフォンなどの小型通信機器に使用されるプリント回路基板には,高周波帯においても低損失な基板が求められている。そこで,活用が期待されている材料がフッ素樹脂である。そのなかでもPTFEは,バルクの特性に関しては高周波用プリント基板に求められるも条件の多くを満たしている。しかしながら,PTFEが持つ表面の特性である非粘着性は配線材である銅との付着を高めるため改善が必要である。その表面改質方法として,低角度N+イオンビーム照射を行い,加速電圧変化による機械的特性を評価した。

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